Описание

    Производство кристаллов часто сталкивается с получением дефектных, неочищенных, ограниченных по размеру кристаллов, а процессы выращивания требуют больших времён и высоких энергетических затрат.
Для решения указанных проблем разработана технология производства широкого спектра совершенных кристаллов, спроектирована и изготовлена опытная установка для реализации технологии. Конечные продукты, получаемые благодаря разработанной технологии производства совершенных кристаллов, могут применяться в установках для томографии сверхвысокого разрешения, в магнитооптике и в установках террагерцового излучения, для детектирования ионизирующих излучений и редких процессов, для нелинейной оптики, электрооптики и акустооптики. Материалы являются более качественными, менее энергозатратны при производстве в разработанных установках и более универсальны по своим свойствам.
В настоящее время по данной технологии получены следующие кристаллы: - CdWO4, ZnWO4-для систем X-ray Cargo; - Ge, CdTe, CdMgTe, CdMnTe, CdZnTe – для детектирования ионизирующих излучений; - ZnMoO4, Li2MoO4, PbMoO4 – для детектирования редких процессов; - KTiOPO4, LiNbO3 – для нелинейной оптики и электрооптики; - TeO2 – для акустооптики.

Преимущества

• высокое качество в сравнении с традиционными технологиями благодаря отсутствию дефектов и высшей степени совершенства кристаллов;
• высокий выход кристаллического материала из начальной загрузки – до 98%;
• энергопотребление установок ниже, чем в обычных технологиях;
• можно производить любые кристаллы, в том числе и полупроводниковые, при этом меняется только тепловой узел и ростовой контейнер;
• позволяет разрабатывать технологии выращивания новых материалов всего в течение нескольких месяцев;
• возможность удалённого контроля и управления производством кристаллов по сети Интернет.

Референсы

1. Поставлены кристаллы в КНР и Италию.