Click to order
Запросить технологию
Total: 
Название организации
ФИО
Email
Телефон
Подача технологического запроса
Название технологического запроса
Дайте название своему технологическому запросу, из которого будет ясно, что вы ищите, для чего это будет использоваться
Аннотация запроса
Кто ищет технологию и для каких задач? Какие требования предъявляются? Какая стадия развития технологии? Какой тип партнёра требуется, и какие задачи ставятся перед ним?
Индустрия
Специализация техзапроса
Заявитель
Предполагаемый формат сотрудничества

Какие форматы трансфера технологий предполагается задействовать при сотрудничестве с партнером-поставщиком технологии или технологического решения?
    Технологическая кооперация с партнером:
    Производственная кооперация:
    Если да, то уточните, какие услуги вы ожидаете получить от будущего партнера или партнеров:
    Требования к искомому технологическому решению / технологии

    Сформулируйте требования к искомому технологическому решению или технологии:
    • какого рода технологии являются подходящими / не подходящими;
    • предъявляемые требования;
    • стадия развития;
    • количественные технические характеристики (спецификация) требуемой технологии/продукта;
    • инновационные аспекты.
    Требования по правам на интеллектуальную собственность

    Если в процессе удовлетворения запроса возникают права на интеллектуальную собственность, следует обозначить требования по ним.

    Можно обозначить, какими правами интеллектуальной собственности должен обладать поставщик относительно запрашиваемой технологии или технологического решения.

    Требования к искомому партнеру

    Опишите характеристики искомого партнера-поставщика запрашиваемой технологии или технологического решения:
    • тип искомого партнера;
    • область деятельности партнера;
    • задачи, стоящие перед партнером;
    • предпочитаемые страны.
    Энергоэффективная технология производства совершенных кристаллов
    р.
    р.
    Описание

        Производство кристаллов часто сталкивается с получением дефектных, неочищенных, ограниченных по размеру кристаллов, а процессы выращивания требуют больших времён и высоких энергетических затрат.
    Для решения указанных проблем разработана технология производства широкого спектра совершенных кристаллов, спроектирована и изготовлена опытная установка для реализации технологии. Конечные продукты, получаемые благодаря разработанной технологии производства совершенных кристаллов, могут применяться в установках для томографии сверхвысокого разрешения, в магнитооптике и в установках террагерцового излучения, для детектирования ионизирующих излучений и редких процессов, для нелинейной оптики, электрооптики и акустооптики. Материалы являются более качественными, менее энергозатратны при производстве в разработанных установках и более универсальны по своим свойствам.
    В настоящее время по данной технологии получены следующие кристаллы: - CdWO4, ZnWO4-для систем X-ray Cargo; - Ge, CdTe, CdMgTe, CdMnTe, CdZnTe – для детектирования ионизирующих излучений; - ZnMoO4, Li2MoO4, PbMoO4 – для детектирования редких процессов; - KTiOPO4, LiNbO3 – для нелинейной оптики и электрооптики; - TeO2 – для акустооптики.

    Преимущества

    • высокое качество в сравнении с традиционными технологиями благодаря отсутствию дефектов и высшей степени совершенства кристаллов;
    • высокий выход кристаллического материала из начальной загрузки – до 98%;
    • энергопотребление установок ниже, чем в обычных технологиях;
    • можно производить любые кристаллы, в том числе и полупроводниковые, при этом меняется только тепловой узел и ростовой контейнер;
    • позволяет разрабатывать технологии выращивания новых материалов всего в течение нескольких месяцев;
    • возможность удалённого контроля и управления производством кристаллов по сети Интернет.

    Референсы

    1. Поставлены кристаллы в КНР и Италию.