Click to order
Запросить технологию
Total: 
Название организации
ФИО
Email
Телефон
Подача технологического запроса
Название технологического запроса
Дайте название своему технологическому запросу, из которого будет ясно, что вы ищите, для чего это будет использоваться
Аннотация запроса
Кто ищет технологию и для каких задач? Какие требования предъявляются? Какая стадия развития технологии? Какой тип партнёра требуется, и какие задачи ставятся перед ним?
Индустрия
Специализация техзапроса
Заявитель
Предполагаемый формат сотрудничества

Какие форматы трансфера технологий предполагается задействовать при сотрудничестве с партнером-поставщиком технологии или технологического решения?
    Технологическая кооперация с партнером:
    Производственная кооперация:
    Если да, то уточните, какие услуги вы ожидаете получить от будущего партнера или партнеров:
    Требования к искомому технологическому решению / технологии

    Сформулируйте требования к искомому технологическому решению или технологии:
    • какого рода технологии являются подходящими / не подходящими;
    • предъявляемые требования;
    • стадия развития;
    • количественные технические характеристики (спецификация) требуемой технологии/продукта;
    • инновационные аспекты.
    Требования по правам на интеллектуальную собственность

    Если в процессе удовлетворения запроса возникают права на интеллектуальную собственность, следует обозначить требования по ним.

    Можно обозначить, какими правами интеллектуальной собственности должен обладать поставщик относительно запрашиваемой технологии или технологического решения.

    Требования к искомому партнеру

    Опишите характеристики искомого партнера-поставщика запрашиваемой технологии или технологического решения:
    • тип искомого партнера;
    • область деятельности партнера;
    • задачи, стоящие перед партнером;
    • предпочитаемые страны.
    Гибкая технология толстых пленок с использованием низкоэнергетических воздействий
    р.
    р.
    Описание

         Толстопленочная технология позволяет получать плёнки толщиной от единиц до нескольких десятков микрометров в стандартном исполнении и сотен микрометров для силовой электроники. Технология состоит из ряда последовательных идентичных циклов нанесения слоев, сушки и их вжигания.
    Толстопленочная технология за счет высокой надежности, обусловленной отсутствием паяных контактов в эпоху миниатюризации и повышения плотности энергетических потоков, а так же своей экологичности начала развиваться с новой силой.
    Для резистивных элементов используются смеси порошков металлов и их окислов в различных пропорциях, лигирующие добавки позволяют в широком диапазоне варьировать электрофизические характеристики резисторов. К примеру, температурный коэффициент сопротивления может быть достигнут менее 25 ppm.
    Материалы позволяют реализовывать широкий круг топологических структур, любой конструкторской идеи.
    Односторонние платы гибридных интегральных микросхем обычно позволяют реализовывать межкристальные соединения и обвязку микросхем или модулей. Двухсторонние и многослойные толстопленочные платы с металлизированными отверстиями нашли применение в создании 3-D систем и многокристальных модулей.

    Преимущества

    • создание многофункциональных систем на одной подложке;
    • применение индивидуальных конструкторско-технологических решений, реинжиниринг;
    • односторонняя и двухсторонняя металлизация, металлизация торцов и сквозных отверстий;
    • многоуровневая разводка с высоким разрешением и плотностью проводников для современных задач;
    • толщина проводника после вжигания 10 - 200 мкм;
    • высокоточные резисторы с низким температурным коэффициентом сопротивления;
    • система применяемых паст квалифицирована для диапазона температур от -70 до +200 градусов Цельсия;
    • быстрое изготовление тестовых структур и прототипов.