Гибкая технология толстых пленок с использованием низкоэнергетических воздействий
р.
р.
Описание

     Толстопленочная технология позволяет получать плёнки толщиной от единиц до нескольких десятков микрометров в стандартном исполнении и сотен микрометров для силовой электроники. Технология состоит из ряда последовательных идентичных циклов нанесения слоев, сушки и их вжигания.
Толстопленочная технология за счет высокой надежности, обусловленной отсутствием паяных контактов в эпоху миниатюризации и повышения плотности энергетических потоков, а так же своей экологичности начала развиваться с новой силой.
Для резистивных элементов используются смеси порошков металлов и их окислов в различных пропорциях, лигирующие добавки позволяют в широком диапазоне варьировать электрофизические характеристики резисторов. К примеру, температурный коэффициент сопротивления может быть достигнут менее 25 ppm.
Материалы позволяют реализовывать широкий круг топологических структур, любой конструкторской идеи.
Односторонние платы гибридных интегральных микросхем обычно позволяют реализовывать межкристальные соединения и обвязку микросхем или модулей. Двухсторонние и многослойные толстопленочные платы с металлизированными отверстиями нашли применение в создании 3-D систем и многокристальных модулей.

Преимущества

  • создание многофункциональных систем на одной подложке;
  • применение индивидуальных конструкторско-технологических решений, реинжиниринг;
  • односторонняя и двухсторонняя металлизация, металлизация торцов и сквозных отверстий;
  • многоуровневая разводка с высоким разрешением и плотностью проводников для современных задач;
  • толщина проводника после вжигания 10 - 200 мкм;
  • высокоточные резисторы с низким температурным коэффициентом сопротивления;
  • система применяемых паст квалифицирована для диапазона температур от -70 до +200 градусов Цельсия;
  • быстрое изготовление тестовых структур и прототипов.