Описание

    Карбид кремния изготавливается из метилтрихлорсилана методом химического осаждения из газовой фазы (CVD – chemical vapor deposition), а также методом химической инфильтрации из газовой фазы (CVI – chemical vapor infiltration). Процесс инфильтрации карбида кремния проходит на графитовой подложке. Газофазное осаждение карбида кремния также проходит на графитовой подложке с ее последующим удалением. Установка позволяет изменять толщину получаемого материала в зависимости от скорости подачи газов и времени процесса. Уникальные свойства карбида кремния, как тугоплавкость, химическая, радиационная и износостойкость, высокая твердость (уступает только алмазу), высокая термическая и коррозионная стойкость дают ему принципиальную возможность для создания приборов с улучшенными рабочими характеристиками для различных областей промышленности.

Преимущества

• возможность изготовления изделия с характеристиками необходимыми заказчику;
• меньшая стоимость по сравнению с зарубежными компаниями;
• полностью отечественное производство.

Спецификация

• диаметр рабочей области камеры 300 мм, высота 500 мм;
• максимальная температура в рабочей камере 1500 °С;
• минимальное давление в камере при вакуумировании 20 Па.