Click to order
Запросить технологию
Total: 
Название организации
ФИО
Email
Телефон
Подача технологического запроса
Название технологического запроса
Дайте название своему технологическому запросу, из которого будет ясно, что вы ищите, для чего это будет использоваться
Аннотация запроса
Кто ищет технологию и для каких задач? Какие требования предъявляются? Какая стадия развития технологии? Какой тип партнёра требуется, и какие задачи ставятся перед ним?
Индустрия
Специализация техзапроса
Заявитель
Предполагаемый формат сотрудничества

Какие форматы трансфера технологий предполагается задействовать при сотрудничестве с партнером-поставщиком технологии или технологического решения?
    Технологическая кооперация с партнером:
    Производственная кооперация:
    Если да, то уточните, какие услуги вы ожидаете получить от будущего партнера или партнеров:
    Требования к искомому технологическому решению / технологии

    Сформулируйте требования к искомому технологическому решению или технологии:
    • какого рода технологии являются подходящими / не подходящими;
    • предъявляемые требования;
    • стадия развития;
    • количественные технические характеристики (спецификация) требуемой технологии/продукта;
    • инновационные аспекты.
    Требования по правам на интеллектуальную собственность

    Если в процессе удовлетворения запроса возникают права на интеллектуальную собственность, следует обозначить требования по ним.

    Можно обозначить, какими правами интеллектуальной собственности должен обладать поставщик относительно запрашиваемой технологии или технологического решения.

    Требования к искомому партнеру

    Опишите характеристики искомого партнера-поставщика запрашиваемой технологии или технологического решения:
    • тип искомого партнера;
    • область деятельности партнера;
    • задачи, стоящие перед партнером;
    • предпочитаемые страны.
    Производство карбида кремния (CVD, CVI)
    р.
    р.
    Описание

        Карбид кремния изготавливается из метилтрихлорсилана методом химического осаждения из газовой фазы (CVD – chemical vapor deposition), а также методом химической инфильтрации из газовой фазы (CVI – chemical vapor infiltration). Процесс инфильтрации карбида кремния проходит на графитовой подложке. Газофазное осаждение карбида кремния также проходит на графитовой подложке с ее последующим удалением. Установка позволяет изменять толщину получаемого материала в зависимости от скорости подачи газов и времени процесса. Уникальные свойства карбида кремния, как тугоплавкость, химическая, радиационная и износостойкость, высокая твердость (уступает только алмазу), высокая термическая и коррозионная стойкость дают ему принципиальную возможность для создания приборов с улучшенными рабочими характеристиками для различных областей промышленности.

    Преимущества

    • возможность изготовления изделия с характеристиками необходимыми заказчику;
    • меньшая стоимость по сравнению с зарубежными компаниями;
    • полностью отечественное производство.

    Спецификация

    • диаметр рабочей области камеры 300 мм, высота 500 мм;
    • максимальная температура в рабочей камере 1500 °С;
    • минимальное давление в камере при вакуумировании 20 Па.